暗电流测量方法/暗电流是如何形成的 测量它有何意义

怎样测量光电管的暗电流?
1、连接好光电管暗盒与测量放大器之间的屏蔽电缆 、地线和阳极电源线 。适当选取电压与电流的量程。在无光照的条件下 ,测得不同电压下所对应的暗电流。
2、常温实验时,电极要发射少量热电子,加上管壳和管座的漏电构成光电流 。观察方法:不予光电管光照 ,调节电压,读出电流的示数即为该电压下的漏电流。
3、实验中,存在阳极光电效应所引起的反向电流和暗电流(即无光照射时的电流),测得的电流实际上是包括上述两种电流和由阴极光电效应所产生的正向电流三个部分 ,所以当反向电压加到一定值后,光电流会出现负值。
4 、光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系 ,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流 ,一般很小。
如何用万用表测量汽车漏电,暗电流
1、选择量程 。测量电流时,要从大到小选择档位范围。量程太小会烧坏万用表,所以要从大到小选择合适的量程。一般汽车的量程是10安培 ,很多仪表都可以自动调节量程,只要选对档位 。要打开车罩测量泄漏,请关闭车上的所有电气设备 ,然后锁好车门。如果有遥控车,需要遥控锁车。
2、使用万用表测量汽车漏电的步骤如下:选择正确档位:将万用表选择在测量电流的档位上,特别是直流电流的档位,因为现代汽车大多使用直流电 。选择量程:从大到小选择合适的量程 ,以避免因量程过小而损坏万用表。一般汽车的量程可选择在十安培,或根据万用表是否具有自动调整量程的功能来确定。
3、选择正确档位 。万用表上有测量电压 、电阻、电流的档位,测量汽车漏电一定要把表选择在测量电流档上 ,现在汽车上都是直流电,所以最终在直流电流档位上。选择量程。
光敏二极管的暗电流测试方法
1、光敏二极管的暗电流非常小,是1uA数量级 ,直接测量不容易测准 。还要求在暗处测量,不能见光。做一个固定放大倍数的运放电路,把暗电流转化为电压 ,间接测量。要把整个电路包起来,不见光,把电压测量线引出。
2 、光敏二极管是在反向电压作用之下工作的 。没有光照时 ,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子 ,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流子。
3、如果不知道光敏二极管的正负极 ,可用测量普通二极管正、负极的办法来确定,当测正向咆阻时,黑表笔接的就是光敏二极管的正极 。
4 、光敏电阻没有受到光照或光照强度很弱时的电阻值称为暗电阻(注意不是暗电流) ,其具体指标应该是在指定光照强度数值条件下的。既然暗电阻是不为∞的有限值,当其两端加上电压后就会有电流。暗电流应该是光敏二极管和光敏三极管等有源器件的参数 。
5、电子的流向是从阴极流向阳极的,注意 ,电子是通过闭路后的导线来流动的,因此,对于光敏二极管来说 ,和电池的原理一样,电流是从阴极流向阳极的。日常使用时,经常在光敏管两端加一反向电压5V或10V来提高光电流的强度。检测光敏管特性的另一重要参数是暗电流,如有兴趣 ,可以讨论一下 。
6、光电效应差异:光敏电阻的光电效应与电极无关,而光敏二极管则与之相关。光敏二极管能够使用直流电源,其灵敏度与半导体材料及入射光波长有关。 温度影响差异:光敏电阻受温度影响较大 ,响应速度相对较慢,通常在毫秒到秒级别 。
集成电路暗电流测试方法
1 、集成电路暗电流测试方法如下:非在线测量非在线测量潮在集成电路未焊入电路时,通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比 ,以确定其是否正常。在线测量在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等,通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常,来判断该集成电路是否损坏。
2 、如图8:当光电三极管VT1接收到红外发光二极管射来的红外光线时、VT1导通 ,比较器IC2-B的反相输入端⑥脚为低电平,⑦脚输出高电平,加到比较器IC2-A的反相输入端 ,使①脚输出低电平,则光电耦合器4N35内的发光管点亮,对应的光敏管导通,三极管VT2也导通 ,VT2集电极输出低电平。
3、比较法:直观检测取下可能存在问题的光耦,用万用表测量其内部二极管(正向电阻/)和三极管(反向电阻/) 。将数值与正常状态下的引脚电阻值进行对比,如果差异明显 ,那么光耦可能已损坏。 数字万用表的精密诊断以EL817为例,通过数字万用表检测。
4、它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号 。光电传感器一般由光源 、光学通路和光电元件三部分组成。 光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。 光电传感器在一般情况下 ,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路 。
5、IGFM---控制极正向峰值电流 IR(AV)---反向平均电流 IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
6 、工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法 、PECVD法或喷涂法等。(9) 烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上 。(10)测试分档:按规定参数规范 ,测试分类。
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